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APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

僅供參考

型號 APTM50DUM19G
PNEDA編號 APTM50DUM19G
描述 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DUM19G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DUM19G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM50DUM19G, APTM50DUM19G數據表 (總頁數: 6, 大小: 280.83 KB)
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APTM50DUM19G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)163A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 10mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs492nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22400pF @ 25V
功率-最大1136W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 6V

功率-最大

2.1W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61.5nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 800V

功率-最大

167W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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