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STS9D8NH3LL

STS9D8NH3LL

僅供參考

型號 STS9D8NH3LL
PNEDA編號 STS9D8NH3LL
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS9D8NH3LL資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS9D8NH3LL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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STS9D8NH3LL規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds857pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.87nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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