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APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

僅供參考

型號 APTM50DUM38TG
PNEDA編號 APTM50DUM38TG
描述 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50DUM38TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50DUM38TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM50DUM38TG, APTM50DUM38TG數據表 (總頁數: 6, 大小: 293.28 KB)
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APTM50DUM38TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs246nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11200pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 30V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3950pF @ 800V

功率-最大

20mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 6V

功率-最大

550mW

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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