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APTM50HM75SCTG

APTM50HM75SCTG

僅供參考

型號 APTM50HM75SCTG
PNEDA編號 APTM50HM75SCTG
描述 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50HM75SCTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50HM75SCTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50HM75SCTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs123nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5590pF @ 25V
功率-最大357W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

992pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1525pF @ 30V

功率-最大

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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