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APTM50HM75STG

APTM50HM75STG

僅供參考

型號 APTM50HM75STG
PNEDA編號 APTM50HM75STG
描述 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50HM75STG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50HM75STG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50HM75STG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs123nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5600pF @ 25V
功率-最大357W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A, 9.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 37W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1945pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

116mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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