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APTM60H23FT1G

APTM60H23FT1G

僅供參考

型號 APTM60H23FT1G
PNEDA編號 APTM60H23FT1G
描述 MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM60H23FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM60H23FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM60H23FT1G, APTM60H23FT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 141.99 KB)
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APTM60H23FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs276mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs165nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5316pF @ 25V
功率-最大208W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 15V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

674pF @ 20V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

CoolMOS™

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

462W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

-

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FET類型

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

741pF @ 30V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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