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TPS1120D

TPS1120D

僅供參考

型號 TPS1120D
PNEDA編號 TPS1120D
描述 MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
制造商 Texas Instruments
單價
1 ---------- $3.0633
250 ---------- $2.9197
500 ---------- $2.7761
1,000 ---------- $2.6325
2,500 ---------- $2.5129
5,000 ---------- $2.3932
庫存 3,677
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPS1120D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPS1120D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TPS1120D規格

制造商
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)15V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.17A
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.45nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大840mW
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA, 100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 4V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

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