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TPS1120D

TPS1120D

僅供參考

型號 TPS1120D
PNEDA編號 TPS1120D
描述 MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
制造商 Texas Instruments
單價
1 ---------- $3.0633
250 ---------- $2.9197
500 ---------- $2.7761
1,000 ---------- $2.6325
2,500 ---------- $2.5129
5,000 ---------- $2.3932
庫存 3,677
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPS1120D資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPS1120D
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TPS1120D規格

制造商
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)15V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.17A
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.45nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大840mW
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

153pF @ 50V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

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11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A, 5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

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