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APTMC60TLM14CAG

APTMC60TLM14CAG

僅供參考

型號 APTMC60TLM14CAG
PNEDA編號 APTMC60TLM14CAG
描述 MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTMC60TLM14CAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTMC60TLM14CAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTMC60TLM14CAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)219A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 150A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs483nC @ 20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8400pF @ 1000V
功率-最大925W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A, 6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.4nC @ 8V

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