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APTC60AM83BC1G

APTC60AM83BC1G

僅供參考

型號 APTC60AM83BC1G
PNEDA編號 APTC60AM83BC1G
描述 MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60AM83BC1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60AM83BC1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60AM83BC1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A
Rds On(Max)@ Id,Vgs83mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs250nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 40mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7950pF @ 800V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 6V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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