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AS3BJHM3_A/I

AS3BJHM3_A/I

僅供參考

型號 AS3BJHM3_A/I
PNEDA編號 AS3BJHM3_A-I
描述 DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS3BJHM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS3BJHM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
AS3BJHM3_A/I, AS3BJHM3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.58 KB)
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AS3BJHM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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770mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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DO-214AC (SMA)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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