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BAW62,133

BAW62,133

僅供參考

型號 BAW62,133
PNEDA編號 BAW62-133
描述 DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAW62資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAW62,133
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAW62, BAW62數據表 (總頁數: 10, 大小: 397.77 KB)
PDFBAW62數據表 封面
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BAW62規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝ALF2
工作溫度-結點200°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

780ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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