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AS4C128M8D3A-12BCNTR

AS4C128M8D3A-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C128M8D3A-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C128M8D3A-12BCNTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C128M8D3A-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C128M8D3A-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C128M8D3A-12BCNTR, AS4C128M8D3A-12BCNTR數據表 (總頁數: 84, 大小: 1,459.68 KB)
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AS4C128M8D3A-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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包裝/箱

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內存類型

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技術

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.625GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Sub-Base Mount

包裝/箱

180-TFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

CY14MB064Q2A-SXQ

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

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