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AS4C4M32S-6TIN

AS4C4M32S-6TIN

僅供參考

型號 AS4C4M32S-6TIN
PNEDA編號 AS4C4M32S-6TIN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C4M32S-6TIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C4M32S-6TIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C4M32S-6TIN, AS4C4M32S-6TIN數據表 (總頁數: 50, 大小: 528.97 KB)
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AS4C4M32S-6TIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

3.6ns

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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