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AS4C64M16D3LB-12BCN

AS4C64M16D3LB-12BCN

僅供參考

型號 AS4C64M16D3LB-12BCN
PNEDA編號 AS4C64M16D3LB-12BCN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D3LB-12BCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D3LB-12BCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16D3LB-12BCN, AS4C64M16D3LB-12BCN數據表 (總頁數: 86, 大小: 1,964.21 KB)
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AS4C64M16D3LB-12BCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (9x13)

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內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LQFP

供應商設備包裝

80-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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