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AS6C2008-55TIN

AS6C2008-55TIN

僅供參考

型號 AS6C2008-55TIN
PNEDA編號 AS6C2008-55TIN
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C2008-55TIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C2008-55TIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C2008-55TIN, AS6C2008-55TIN數據表 (總頁數: 13, 大小: 2,906.82 KB)
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AS6C2008-55TIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存接口

SPI

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

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安裝類型

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