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BR25S640FVT-WE2

BR25S640FVT-WE2

僅供參考

型號 BR25S640FVT-WE2
PNEDA編號 BR25S640FVT-WE2
描述 IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25S640FVT-WE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25S640FVT-WE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25S640FVT-WE2, BR25S640FVT-WE2數據表 (總頁數: 34, 大小: 675.75 KB)
PDFBR25S640FVJ-WE2數據表 封面
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BR25S640FVT-WE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP-B

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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1.1V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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