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AS6C2016-55ZIN

AS6C2016-55ZIN

僅供參考

型號 AS6C2016-55ZIN
PNEDA編號 AS6C2016-55ZIN
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 34,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C2016-55ZIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C2016-55ZIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C2016-55ZIN, AS6C2016-55ZIN數據表 (總頁數: 13, 大小: 502.22 KB)
PDFAS6C2016-55BIN數據表 封面
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AS6C2016-55ZIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

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電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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