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AT28HC64BF-70PU

AT28HC64BF-70PU

僅供參考

型號 AT28HC64BF-70PU
PNEDA編號 AT28HC64BF-70PU
描述 IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT28HC64BF-70PU資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT28HC64BF-70PU
類別半導體內存IC內存
數據表
AT28HC64BF-70PU, AT28HC64BF-70PU數據表 (總頁數: 18, 大小: 286.07 KB)
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AT28HC64BF-70PU規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ms
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-PDIP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

2Mb (64K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

90MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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