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NAND08GW3C2BN6E

NAND08GW3C2BN6E

僅供參考

型號 NAND08GW3C2BN6E
PNEDA編號 NAND08GW3C2BN6E
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND08GW3C2BN6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND08GW3C2BN6E
類別半導體內存IC內存

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NAND08GW3C2BN6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

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電壓-供電

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