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AT45DB081E-SSHN-B

AT45DB081E-SSHN-B

僅供參考

型號 AT45DB081E-SSHN-B
PNEDA編號 AT45DB081E-SSHN-B
描述 IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 2,453
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DB081E-SSHN-B資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DB081E-SSHN-B
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DB081E-SSHN-B, AT45DB081E-SSHN-B數據表 (總頁數: 70, 大小: 2,568.76 KB)
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AT45DB081E-SSHN-B規格

制造商Adesto Technologies
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
內存接口SPI
時鐘頻率85MHz
寫周期-字,頁8µs, 4ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

Single Wire

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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