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AT45DB321B-RI

AT45DB321B-RI

僅供參考

型號 AT45DB321B-RI
PNEDA編號 AT45DB321B-RI
描述 IC FLASH 32M SPI 20MHZ 28SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DB321B-RI資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DB321B-RI
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DB321B-RI, AT45DB321B-RI數據表 (總頁數: 32, 大小: 230.21 KB)
PDFAT45DB321B-RI數據表 封面
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AT45DB321B-RI規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁14ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
供應商設備包裝28-SOIC

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR IV

內存大小

144Mb (8M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1066MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.26V ~ 1.34V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

361-FCBGA (21x21)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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