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AT45DB641E-MHN-Y

AT45DB641E-MHN-Y

僅供參考

型號 AT45DB641E-MHN-Y
PNEDA編號 AT45DB641E-MHN-Y
描述 IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 17,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DB641E-MHN-Y資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DB641E-MHN-Y
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DB641E-MHN-Y, AT45DB641E-MHN-Y數據表 (總頁數: 72, 大小: 2,740.84 KB)
PDFAT45DB641E-CCUN2B-T數據表 封面
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AT45DB641E-MHN-Y規格

制造商Adesto Technologies
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小64Mb (264 Bytes x 32K pages)
內存接口SPI
時鐘頻率85MHz
寫周期-字,頁8µs, 5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-UDFN (5x6)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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