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AUIRF7319Q

AUIRF7319Q

僅供參考

型號 AUIRF7319Q
PNEDA編號 AUIRF7319Q
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 46,243
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 4 - 三月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRF7319Q資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRF7319Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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AUIRF7319Q規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A, 4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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HEXFET®

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2026pF @ 30V

功率-最大

2.6W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N and P-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 20V

功率-最大

3W, 3.3W

工作溫度

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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