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CSD87502Q2

CSD87502Q2

僅供參考

型號 CSD87502Q2
PNEDA編號 CSD87502Q2
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 23,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD87502Q2資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD87502Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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CSD87502Q2規格

制造商
系列NexFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs32.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds353pF @ 15V
功率-最大2.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WSON (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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100A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10200pF @ 800V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 15V

功率-最大

490mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

564pF @ 15V

功率-最大

4W

工作溫度

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