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AUIRFR3504Z

AUIRFR3504Z

僅供參考

型號 AUIRFR3504Z
PNEDA編號 AUIRFR3504Z
描述 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUIRFR3504Z資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUIRFR3504Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AUIRFR3504Z, AUIRFR3504Z數據表 (總頁數: 11, 大小: 664.15 KB)
PDFAUIRFR3504Z數據表 封面
AUIRFR3504Z數據表 頁面 2 AUIRFR3504Z數據表 頁面 3 AUIRFR3504Z數據表 頁面 4 AUIRFR3504Z數據表 頁面 5 AUIRFR3504Z數據表 頁面 6 AUIRFR3504Z數據表 頁面 7 AUIRFR3504Z數據表 頁面 8 AUIRFR3504Z數據表 頁面 9 AUIRFR3504Z數據表 頁面 10 AUIRFR3504Z數據表 頁面 11

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AUIRFR3504Z規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)42A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99.9mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

68W (Tc)

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