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AUXAKF1405ZS-7P

AUXAKF1405ZS-7P

僅供參考

型號 AUXAKF1405ZS-7P
PNEDA編號 AUXAKF1405ZS-7P
描述 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AUXAKF1405ZS-7P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AUXAKF1405ZS-7P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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AUXAKF1405ZS-7P規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs230nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK (7-Lead)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

267nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS247™-3

包裝/箱

TO-247-3

BSS316NH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

94pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO251-3

包裝/箱

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