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BAS16E6393HTSA1

BAS16E6393HTSA1

僅供參考

型號 BAS16E6393HTSA1
PNEDA編號 BAS16E6393HTSA1
描述 DIODE GP 80V 250MA SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS16E6393HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS16E6393HTSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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BAS16E6393HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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