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BAW62,113

BAW62,113

僅供參考

型號 BAW62,113
PNEDA編號 BAW62-113
描述 DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAW62資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAW62,113
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAW62, BAW62數據表 (總頁數: 10, 大小: 397.77 KB)
PDFBAW62數據表 封面
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BAW62規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝ALF2
工作溫度-結點200°C (Max)

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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800V

電流-平均整流(Io)

10000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

300mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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