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BC857BS-7-F

BC857BS-7-F

僅供參考

型號 BC857BS-7-F
PNEDA編號 BC857BS-7-F
描述 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC857BS-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC857BS-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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BC857BS-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce220 @ 2mA, 5V
功率-最大200mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

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10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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