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BF422G

BF422G

僅供參考

型號 BF422G
PNEDA編號 BF422G
描述 TRANS NPN 250V 0.05A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BF422G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BF422G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BF422G, BF422G數據表 (總頁數: 4, 大小: 61.57 KB)
PDFBF422ZL1G數據表 封面
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BF422G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 25mA, 20V
功率-最大830mW
頻率-過渡60MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

300nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1200 @ 1mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

850mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

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150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

390mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 150mA, 10V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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