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BF776E6327FTSA1

BF776E6327FTSA1

僅供參考

型號 BF776E6327FTSA1
PNEDA編號 BF776E6327FTSA1
描述 RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BF776E6327FTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BF776E6327FTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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BF776E6327FTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.7V
頻率-過渡46GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益24dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 30mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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Infineon Technologies

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB @ 900MHz

增益

9.7dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

FH105A-TR-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.5GHz

增益

10dB @ 1.5GHz

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

0.95 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-MCP

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Microsemi

制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 7.1dB

功率-最大

720W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

19.8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M218

供應商設備包裝

M218

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

3.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

80W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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