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BFG425W,135

BFG425W,135

僅供參考

型號 BFG425W,135
PNEDA編號 BFG425W-135
描述 RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG425W資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG425W,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG425W, BFG425W數據表 (總頁數: 13, 大小: 143.86 KB)
PDFBFG425W數據表 封面
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BFG425W規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.5V
頻率-過渡25GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
增益20dB
功率-最大135mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 25mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝CMPAK-4

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

14dB @ 1GHz

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

6-CPH

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.25dB @ 1GHz

增益

10.5dB

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 7.5dB

功率-最大

1450W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

230°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB

功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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