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BFR31,215

BFR31,215

僅供參考

型號 BFR31,215
PNEDA編號 BFR31-215
描述 JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $1.0900
500 ---------- $1.0390
1,000 ---------- $0.9879
2,500 ---------- $0.9368
5,000 ---------- $0.8942
10,000 ---------- $0.8516
庫存 2
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR31資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR31,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
BFR31, BFR31數據表 (總頁數: 13, 大小: 271.49 KB)
PDFBFR30數據表 封面
BFR30數據表 頁面 2 BFR30數據表 頁面 3 BFR30數據表 頁面 4 BFR30數據表 頁面 5 BFR30數據表 頁面 6 BFR30數據表 頁面 7 BFR30數據表 頁面 8 BFR30數據表 頁面 9 BFR30數據表 頁面 10 BFR30數據表 頁面 11

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BFR31規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大10mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2.5V @ 0.5nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大250mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

125°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

10 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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