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BLF6G27LS-50BN,112

BLF6G27LS-50BN,112

僅供參考

型號 BLF6G27LS-50BN,112
PNEDA編號 BLF6G27LS-50BN-112
描述 TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF6G27LS-50BN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF6G27LS-50BN,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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BLF6G27LS-50BN規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.5GHz ~ 2.7GHz
增益16.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)12A
噪聲系數-
當前-測試430mA
功率-輸出3W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-1112B
供應商設備包裝CDFM6

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28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

45W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1244C

供應商設備包裝

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475-102N20A-00

IXYS-RF

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IXYS-RF

系列

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晶體管類型

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頻率

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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電壓-額定

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.2GHz

增益

15.3dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

810mA

功率-輸出

580W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1258-7

供應商設備包裝

SOT-1258-7

IXZH16N60

IXYS-RF

制造商

IXYS-RF

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

1mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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IXYS-RF

制造商

IXYS-RF

系列

DE

晶體管類型

N-Channel

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

25A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

940W

電壓-額定

500V

包裝/箱

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

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