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BQ2024DBZRG4

BQ2024DBZRG4

僅供參考

型號 BQ2024DBZRG4
PNEDA編號 BQ2024DBZRG4
描述 IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BQ2024DBZRG4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BQ2024DBZRG4
類別半導體內存IC內存

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BQ2024DBZRG4規格

制造商
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1.5K (6 pages x 32 bytes)
內存接口Single Wire
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.65V ~ 5.5V
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Volatile

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1.866GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-30°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT41J256M16HA-125:E TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

97µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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