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BR24G1MFJ-3AGTE2

BR24G1MFJ-3AGTE2

僅供參考

型號 BR24G1MFJ-3AGTE2
PNEDA編號 BR24G1MFJ-3AGTE2
描述 IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOPJ
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR24G1MFJ-3AGTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR24G1MFJ-3AGTE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR24G1MFJ-3AGTE2, BR24G1MFJ-3AGTE2數據表 (總頁數: 39, 大小: 2,354.11 KB)
PDFBR24G256-3A數據表 封面
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BR24G1MFJ-3AGTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP-J

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.3V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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