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BR25A1MFJ-3MGE2

BR25A1MFJ-3MGE2

僅供參考

型號 BR25A1MFJ-3MGE2
PNEDA編號 BR25A1MFJ-3MGE2
描述 IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOPJ
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25A1MFJ-3MGE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25A1MFJ-3MGE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25A1MFJ-3MGE2, BR25A1MFJ-3MGE2數據表 (總頁數: 30, 大小: 714.97 KB)
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BR25A1MFJ-3MGE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP-J

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-TFBGA (6x8)

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Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP II

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

40-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

40-PDIP

IS61NLP51218B-200TQLI-TR

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-LQFP (14x20)

M34E04-FMC9TG

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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