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BR25L040FV-WE2

BR25L040FV-WE2

僅供參考

型號 BR25L040FV-WE2
PNEDA編號 BR25L040FV-WE2
描述 IC EEPROM 4K SPI 5MHZ 8SSOPB
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25L040FV-WE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25L040FV-WE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25L040FV-WE2, BR25L040FV-WE2數據表 (總頁數: 38, 大小: 1,386.34 KB)
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BR25L040FV-WE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (512 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SSOPB

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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