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BSA223SP

BSA223SP

僅供參考

型號 BSA223SP
PNEDA編號 BSA223SP
描述 MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSA223SP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSA223SP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSA223SP, BSA223SP數據表 (總頁數: 8, 大小: 416.33 KB)
PDFBSA223SP數據表 封面
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BSA223SP規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)390mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1.5µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.62nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds56pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)250mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SC-75
包裝/箱SC-75, SOT-416

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

455W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.3nF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 67W (Tc)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

375nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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1250W (Tc)

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