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BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1

僅供參考

型號 BSC028N06LS3GATMA1
PNEDA編號 BSC028N06LS3GATMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
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庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC028N06LS3GATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC028N06LS3GATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC028N06LS3GATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 93µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs175nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13000pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 58.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.95mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 12V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 53µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

61W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 18.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

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1.5V @ 250µA

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Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

3.78W (Ta), 52W (Tc)

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