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BSC059N03S G

BSC059N03S G

僅供參考

型號 BSC059N03S G
PNEDA編號 BSC059N03S-G
描述 MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC059N03S G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC059N03S G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSC059N03S G, BSC059N03S G數據表 (總頁數: 10, 大小: 634.64 KB)
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BSC059N03S G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17.5A (Ta), 73A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 35µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2670pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)17.5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5470pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

340W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5160pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

158W (Tc)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

40.3W (Tc)

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