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BSH121,135

BSH121,135

僅供參考

型號 BSH121,135
PNEDA編號 BSH121-135
描述 MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSH121資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSH121,135
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSH121, BSH121數據表 (總頁數: 14, 大小: 392.93 KB)
PDFBSH121數據表 封面
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BSH121規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70
包裝/箱SC-70, SOT-323

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

845pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.26W (Ta), 32.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

895pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

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