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BSH207,135

BSH207,135

僅供參考

型號 BSH207,135
PNEDA編號 BSH207-135
描述 MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSH207資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSH207,135
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSH207規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.52A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 9.6V
FET功能-
功耗(最大值)417mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SC-74, SOT-457

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 42W (Tc)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

367pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 8V

FET功能

-

功耗(最大值)

290mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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