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BSL214NH6327XTSA1

BSL214NH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSL214NH6327XTSA1
PNEDA編號 BSL214NH6327XTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL214NH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL214NH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL214NH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 3.7µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds143pF @ 10V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta), 43.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

733pF @ 20V

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