BSM180D12P2C101
僅供參考
| 型號 | BSM180D12P2C101 |
| PNEDA編號 | BSM180D12P2C101 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,424 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸) |
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BSM180D12P2C101資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | BSM180D12P2C101 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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BSM180D12P2C101規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 204A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | - |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4V @ 35.2mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | - |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 23000pF @ 10V |
| 功率-最大 | 1130W |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | - |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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