BSM180D12P3C007
僅供參考
| 型號 | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| 描述 | SIC POWER MODULE | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 2,471 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
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BSM180D12P3C007資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | BSM180D12P3C007 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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BSM180D12P3C007規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 180A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | - |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5.6V @ 50mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | - |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 900pF @ 10V |
| 功率-最大 | 880W |
| 工作溫度 | 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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