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BSO200N03S

BSO200N03S

僅供參考

型號 BSO200N03S
PNEDA編號 BSO200N03S
描述 MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO200N03S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO200N03S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSO200N03S, BSO200N03S數據表 (總頁數: 9, 大小: 653.41 KB)
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BSO200N03S規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.56W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-DSO-8
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6334pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2080pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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