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BSO203PHXUMA1

BSO203PHXUMA1

僅供參考

型號 BSO203PHXUMA1
PNEDA編號 BSO203PHXUMA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO203PHXUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO203PHXUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO203PHXUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3750pF @ 15V
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝P-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

490nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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