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SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7940DP-T1-E3
PNEDA編號 SI7940DP-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7940DP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7940DP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7940DP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 31A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1025pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 10V

功率-最大

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 40V

功率-最大

1W

工作溫度

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