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BSO604NS2XUMA1

BSO604NS2XUMA1

僅供參考

型號 BSO604NS2XUMA1
PNEDA編號 BSO604NS2XUMA1
描述 MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO604NS2XUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO604NS2XUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSO604NS2XUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝P-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 15V

功率-最大

3W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 10V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

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